화학적 기계적 평탄화라고도 알려진 CMP는 반도체 제조의 핵심 공정입니다. PEEK 소재는 내식성의 특성을 갖고 있어 화학용액과 접촉 시 PEEK의 침출이 거의 없습니다. 이는 CMP 공정에서 매우 중요합니다. 낮은 침출은 불순물이 연마 용액에 들어가거나 웨이퍼 표면에 흡착되는 것을 방지하여 웨이퍼 오염을 방지하고 반도체 제조에 필요한 고순도 요구 사항을 보장하기 때문입니다.
그리고 PEEK는 마찰 저항이 뛰어나 마모로 인해 발생하는 입자가 적고 칩을 오염시키지 않습니다.
열팽창 계수 일치: PEEK 소재의 열팽창 계수는 실리콘과 같이 반도체 제조에 일반적으로 사용되는 재료와 더 잘 호환됩니다. CMP 기술의 온도 변화 과정에서 PEEK 소재와 웨이퍼 등 부품의 열팽창 및 수축은 유사하므로 열 응력 불일치로 인한 부품 손상이나 웨이퍼 변형을 방지하고 공정의 신뢰성과 반복성을 보장할 수 있습니다.
탄소섬유 강화 정전기 방지 PEEK는 정전기 방전 손상으로부터 칩을 보호할 수 있으며, 기계적 강도도 뛰어나 반도체 칩을 효과적으로 보호할 수 있습니다.
그리고 PEEK는 마찰 저항이 뛰어나 마모로 인해 발생하는 입자가 적고 칩을 오염시키지 않습니다.
열팽창 계수 일치: PEEK 소재의 열팽창 계수는 실리콘과 같이 반도체 제조에 일반적으로 사용되는 재료와 더 잘 호환됩니다. CMP 기술의 온도 변화 과정에서 PEEK 소재와 웨이퍼 등 부품의 열팽창 및 수축은 유사하므로 열 응력 불일치로 인한 부품 손상이나 웨이퍼 변형을 방지하고 공정의 신뢰성과 반복성을 보장할 수 있습니다.
탄소섬유 강화 정전기 방지 PEEK는 정전기 방전 손상으로부터 칩을 보호할 수 있으며, 기계적 강도도 뛰어나 반도체 칩을 효과적으로 보호할 수 있습니다.
