CMP หรือที่รู้จักกันในชื่อการวางแผนเชิงกลทางเคมี เป็นกระบวนการสำคัญในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ วัสดุ PEEK มีคุณลักษณะต้านทานการกัดกร่อน และเมื่อสัมผัสกับสารละลายเคมี จะเกิดการชะล้างของ PEEK น้อยมาก นี่เป็นสิ่งสำคัญสำหรับกระบวนการ CMP เนื่องจากการชะล้างต่ำสามารถป้องกันไม่ให้สิ่งเจือปนเข้าสู่สารละลายขัดเงาหรือดูดซับบนพื้นผิวเวเฟอร์ จึงป้องกันการปนเปื้อนของเวเฟอร์และรับประกันความต้องการความบริสุทธิ์สูงสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
และ PEEK มีความต้านทานแรงเสียดทานที่ดีเยี่ยม โดยมีอนุภาคที่เกิดจากการสึกหรอน้อยลงและจะไม่ปนเปื้อนชิป
การจับคู่ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อน: ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนของวัสดุ PEEK เข้ากันได้กับวัสดุที่ใช้กันทั่วไปในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ เช่น ซิลิคอน ในระหว่างกระบวนการเปลี่ยนอุณหภูมิของเทคโนโลยี CMP การขยายตัวและการหดตัวทางความร้อนของวัสดุ PEEK และส่วนประกอบต่างๆ เช่น เวเฟอร์จะคล้ายกัน ซึ่งสามารถหลีกเลี่ยงความเสียหายของส่วนประกอบหรือการเปลี่ยนรูปของเวเฟอร์ที่เกิดจากความเครียดจากความร้อนที่ไม่ตรงกัน ทำให้มั่นใจในความน่าเชื่อถือและความสามารถในการทำซ้ำของกระบวนการ
PEEK ป้องกันไฟฟ้าสถิตเสริมด้วยคาร์บอนไฟเบอร์สามารถปกป้องชิปจากความเสียหายจากการคายประจุไฟฟ้าสถิต นอกจากนี้ยังมีความแข็งแรงเชิงกลที่ดีเยี่ยม ซึ่งสามารถปกป้องชิปเซมิคอนดักเตอร์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ
และ PEEK มีความต้านทานแรงเสียดทานที่ดีเยี่ยม โดยมีอนุภาคที่เกิดจากการสึกหรอน้อยลงและจะไม่ปนเปื้อนชิป
การจับคู่ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อน: ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนของวัสดุ PEEK เข้ากันได้กับวัสดุที่ใช้กันทั่วไปในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ เช่น ซิลิคอน ในระหว่างกระบวนการเปลี่ยนอุณหภูมิของเทคโนโลยี CMP การขยายตัวและการหดตัวทางความร้อนของวัสดุ PEEK และส่วนประกอบต่างๆ เช่น เวเฟอร์จะคล้ายกัน ซึ่งสามารถหลีกเลี่ยงความเสียหายของส่วนประกอบหรือการเปลี่ยนรูปของเวเฟอร์ที่เกิดจากความเครียดจากความร้อนที่ไม่ตรงกัน ทำให้มั่นใจในความน่าเชื่อถือและความสามารถในการทำซ้ำของกระบวนการ
PEEK ป้องกันไฟฟ้าสถิตเสริมด้วยคาร์บอนไฟเบอร์สามารถปกป้องชิปจากความเสียหายจากการคายประจุไฟฟ้าสถิต นอกจากนี้ยังมีความแข็งแรงเชิงกลที่ดีเยี่ยม ซึ่งสามารถปกป้องชิปเซมิคอนดักเตอร์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ


